Zertifizierung des Qualitätsmanagementsystems auf das Sydney Design Center ausgeweitet

EINDHOVEN, NIEDERLANDE – 5. März 2025 – Altum RF, ein führender Anbieter von Hochleistungs-HF- bis Millimeterwellen-Halbleiterlösungen und Partner der MEV Elektronik Service GmbH, gibt stolz den erweiterten Umfang seiner ISO 9001:2015-Registrierung für sein Qualitätsmanagementsystem bekannt. Neben seinem Hauptsitz in Eindhoven, Niederlande, hat nun auch das Designzentrum von Altum RF in Sydney, Australien, die ISO 9001-Zertifizierung erhalten. Dieser Meilenstein unterstreicht das Engagement des Unternehmens, qualitativ hochwertige, zuverlässige und leistungsstarke Halbleiterprodukte zu liefern und gleichzeitig Spitzenleistungen in den Bereichen Design, Entwicklung, Herstellung und Vertrieb aufrechtzuerhalten.

„Dies ist ein weiterer bedeutender Erfolg für unser Designzentrum in Sydney“, sagte Tony Fattorini, VP of Engineering bei Altum RF und Leiter des Büros in Sydney. „Unser Team entwickelt seit Jahren kundenspezifische und Katalogprodukte mit starkem Fokus auf die Qualität und Vorhersehbarkeit unserer Designs. Das erfolgreiche Bestehen des ISO 9001:2015-Zertifizierungsaudits ohne Beanstandungen ist eine großartige Bestätigung dafür, dass unsere Prozesse und Verfahren gut strukturiert und effektiv sind.“

„Wir sind sehr stolz, einen weiteren wichtigen Meilenstein im Wachstum unseres Qualitätsmanagementsystems zu erreichen“, erklärte Greg Baker, CEO von Altum RF. „Diese erweiterte ISO 9001:2015-Zertifizierung spiegelt nicht nur das strategische Wachstum und die Expansion unseres Unternehmens wider, sondern stärkt auch unseren Status als vertrauenswürdiger und zuverlässiger Lieferant von Halbleiterlösungen.“

Die ISO 9001:2015-Zertifizierung wurde vom TÜV Nederland verliehen, einem Teil der internationalen TÜV NORD GROUP, einem weltweit führenden Unternehmen im Bereich der Zertifizierung von Qualitätssystemen mit über 100 Jahren Erfahrung. TÜV NORD ist in mehr als 70 Ländern tätig und für seine strengen Standards bei der Zertifizierung von Qualitätsmanagementsystemen bekannt.

Weitere Informationen zu Altum RF und seinen Produkten finden Sie unter www.altumrf.com oder auf der Webseite der MEV.

Unser Partner Power Integrations hat das weltweit erste Bauteil mit einem integrierten 1700V GaN-FET für Hilfsnetzteile (Aux. Power Supplies) veröffentlicht.

Hierbei handelt es sich um ein Produkt der Innomux2- Serie, welches Sie hier finden.

Flybackregler sind die erste Lösung am Markt, welche mit einer 1700V GaN-Technologie verfügbar sind. Eine zweite Ausgangsspannung kann über eine sekundäre Wicklung realisiert werden. Sie sind geeignet für Nenn-Eingangsspannungen von 1000V und können mehrere Ausgangsspannungen mit einem Wirkungsgrad von über 90% zur Verfügung stellen. Eine nachgelagerte Regelung ist oft nicht notwendig, da die Ausgangsspannungen mit einer Genauigkeit von 1% geregelt werden können, wodurch sich die Systemeffizienz erheblich verbessern kann.

Durch Verwendung des integrierten GaN-FETs, lässt sich die Schaltung stark vereinfachen.

Durch die Integration vieler Komponenten in einem IC, können die Kosten ihrer BOM reduziert werden. Die hohe Effizienz der PowiGan Technologie ermöglicht das Verzichten auf Kühlkörper.

Weitere Merkmale und Vorteile der Innomux2 mit 1700V Gan (PN: IMX2353F):

• Besonders effizient bei 1000V Eingangsspannung
• Reduziert Schaltverluste durch Zero-Voltage-Switching
• Geringe Wärmeentwicklung durch hohe Effizienz
• Mehrere geregelte Ausgangsspannungen möglich
• Reduzierte Designkomplexität und verringerte Systemkosten
• Kostengünstiger als bisher übliche 1700V SiC Komponenten in Hilfsnetzeilen

­Die MEV Elektronik arbeitet mit Teltonika Networks zusammen. Teltonika Networks ist ein Hersteller von Netzwerkgeräten wie Routern, Gateways, Modems und Switches aus Litauen.

Die MEV ist Premium Partner von Teltonika und kann Sie daher auch bei Fragen zur Produktauswahl, Konfiguration beraten oder bei technischen Schwierigkeiten unterstützen.

Des Weiteren möchten wir Sie auf einige Produktneuheiten von Teltonika aufmerksam machen.

• Kostengünstiges 5G – Spitzengeschwindigkeit im 5G Netz zu einem unschlagbaren Preis
• Dual SIM – mit automatischem Failover, Backup-WAN und weiteren Umschaltszenarien
• SA & NSA – unterstützt beide Architekturen für optimale Nutzung der 5G-Infrastruktur
• Zukunftssicher – abwärtskompatibel zu 4G (LTE Cat 12)

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• Dual 5G Modem – bis zu doppelte Mobilfunkgeschwindigkeit und unterbrechungsfreie Verbindung
• Dual SIM – mit automatischem Failover, Backup-WAN und weiteren Umschaltszenarien
• SA & NSA – unterstützt beide Architekturen für optimale Nutzung der 5G-Infrastruktur
• Zukunftssicher – abwärtskompatibel zu 4G (LTE Cat 20)

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• REDCAP 5G Router – geringe Latenz, hohe Kapazität, erschwinglicher Preis
• Zukunftssicher – abwärtskompatibel zu LTE Cat 4
• WIFI – Wireless Access Point mit Hotspot Funktionalität
• WAN- Failover – automatische Umschaltung auf verfügbare Backup-Verbindungen

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• REDCAP 5G Router – geringe Latenz, hohe Kapazität, erschwinglicher Preis
• Zukunftssicher – abwärtskompatibel zu LTE Cat 4
• Dual SIM – mit automatischem Failover, Backup-WAN und weiteren Umschaltmöglichkeiten
• Vielfältige Schnittstellen – Ethernet, RS232, RS485 & mehr I/Os

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Bei der typischen Installation von Lichtleitern müssen die Bauteile i.d.R. einzeln positioniert werden. Das ist sehr mühsam und zeitaufwändig. BIVARs Positioning Tray für Lichtleiter erleichtert die Konfiguration und Verwendung von Lichtleitern, indem sie eine Schale verwendet, die eine präzise Ausrichtung und zusätzliche Verstärkung bei der Montage von Lichtleitern ermöglicht.

Anwendungsbeispiele

Positioning Trays können für alle Arten von Anwendungen verwendet werden, bei denen Sie normalerweise ein LED-Array oder mehrere eingepresste Lichtleiterplatten verwenden würden. Sie können die Positioning Trays für Lichtleiter in Designs wie Datenservern, speicherprogrammierbaren Steuerungen und vielem mehr verwenden!

Kompatible Rigid Light Pipes

Lichtleiterdesign leicht gemacht

LPR | Right Angle

Features

• Right Angle
• 3, 4, 5mm
• Heights: 0.8”, 1.0”, 1.25”
• Lengths: 0.7”, 1.0”, 1.5”, 2.0”, 2.5”, 3.0”
• Two (2) lens styles: dome, flat
• Fourteen (14) colors: single, bi-color, tri-color

Download Datenblatt: LPR3 | LPR4 | LPR5

LPV | Vertical

Features

• Vertical
• 2, 3, 4mm
• Heights: 0.35”, 0.4”, 0.45”, 0.5”, 0.55”, 0.6”, 0.75”, 1.0”, 1.25”, 1.5”, 1.75”, 2.0”
• Two (2) lens styles: dome, flat
• Fourteen (14) colors: single, bi-color, tri-color

Download Datenblatt: LPV2 | LPV3 | LPV4

Ihr Ansprechpartner:

Herr Christian Wessel-Berning
Product Line Manager
Tel.: +49 5424 2340-28 
E-Mail: cwessel-berning@mev-elektronik.com

Mit dem nur 2.0 x 1.2 x 0.7mm kleinem C8 Gehäuse bietet Micro Crystal ultra-kompakte RTC Module an, die perfekt für Applikationen mit beschränktem Bauraum geeignet sind.

Konkret verfügbar sind die Typen RV-8063-C8 und RV-8263-C8. Diese liefern die gleiche Performance wie die Vorgänger im C7 Package, ermöglichen aber mit einem Footprint von nur 2.4mm² eine Platzersparnis von 50%.

Somit sind diese beiden Lösungen mit SPI bzw. I2C Interface die herausragende Alternative, wenn es um Standalone Nano-Power (190nA) RTCs mit minimaler Baugröße geht.

Die MEV Elektronik arbeitet seit vielen Jahren mit ihrem Partner Wolfspeed zusammen. Die SiC MOSFETs, Dioden und Module von Wolfspeed sind von der Schaltgeschwindigkeit schneller und verbrauchen weniger Energie als konventionelle Silizium Lösungen zu vergleichbaren Preisen.

Elektromotoren

Elektromotoren, einschließlich industrieller Niederspannungsantriebe, machen mehr als 50 % des weltweit in der Industrie verbrauchten Stroms aus. Traditionell wurden industrielle Niederspannungsmotorantriebe so konstruiert, dass Motor und Antrieb in getrennten Gehäusen untergebracht sind.

Heute ermöglicht Siliziumkarbid den Übergang zu eingebetteten Motorantrieben, bei denen Antrieb und Motor in einer kleinen Einheit verbaut sind. Durch diese Integration von Motor und Antrieb werden die Gesamtsystemkosten gesenkt und die Antriebseffizienz verbessert. Effizienzstandards wie IE3 und IE4 können eingehalten werden.

Im Vergleich zu IGBTs bieten z.B. Wolfspeed 650-V-SiC MOSFETs deutlich geringere Leitungsverluste und nahezu keine Schaltverluste, was die Leistung eingebetteter industrieller Motorantriebe erheblich verbessert.

Servoantriebe

Die Entwicklung von Servoantrieben mit Siliziumkarbid ermöglicht kleinere, effizientere und leistungsdichtere Lösungen. Die Größe der Antriebe kann weiter reduziert werden und die Systemlebensdauer wird verlängert.

Optimierung von Servo-Antriebssystemen mit Wolfspeed 650 V MOSFETs

Mit den 650-V-Siliziumkarbid-MOSFETs von Wolfspeed können z.B. Servoantriebe auf maximale Effizienz bei reduzierter Größe und geringeren Kosten optimieren werden.

Durch die Neugestaltung der PFC unter Verwendung einer brückenlosen Totem-Pole-Topologie sowie die Aufrüstung des Wechselrichters mit Siliziumkarbid-MOSFETs wird der Wirkungsgrad weiter optimiert.

Wärmepumpen und Klimaanlagen

Heiz- und Kühlsysteme verbrauchen einen signifikanten Anteil der weltweit produzierten Energie. Immer strengere und zahlreichere Energieeffizienzstandards zielen darauf ab, diesen Anteil zu reduzieren.

Der Wechsel von herkömmlichen Silizium Lösungen zu Siliziumkarbid kann die Effizienz eines Heiz- oder Kühlsystems erheblich steigern und gleichzeitig die Gesamtgröße der Einheit als auch die Betriebskosten reduzieren.

Modellieren Sie die Effizienz von Siliziumkarbid mit SpeedFit™

Maximieren Sie die Effizienz Ihrer SiC Lösung mit dem SpeedFit Design Simulator. Das Wolfspeed Online-Simulationstool bietet eine benutzerfreundliche Oberfläche zur Simulierung der Siliziumkarbid-MOSFETs, Dioden und Leistungsmodule von Wolfspeed für viele Leistungstopologien.

Hier steht der Design Simulator zum Download bereit.

Oder melden Sie sich einfach bei uns.

Den MEV Selector Guide zu den Wolfspeed Produkten finden Sie hier.