19.12.2011

Neue 1200V/5A SiC-Dioden von SemiSouth für echte Oberflächenmontage

MEV´s neuer Partner SemiSouth Laboratories, Inc., der führende Hersteller von Siliziumkarbid (SiC) Transistor-Technologie für Einsatz im Rahmen von Hochleistungs- bzw. hocheffizienten Anwendungen im Bereich Energiemanagement und Energieumwandlung in rauen Umgebungen, hat neue 1200V/5A Dioden im kompakten DPAK (TO-252) für echte Oberflächenmontage herausgebracht, das die erforderliche Kriechstrecke aufweist und keinen Mittelstift benötigt.

Ebenso wie viele SiC-Dioden von SemiSouth haben auch die neuen SDB05S120 Teile einen positiven Temperaturkoeffizienten und können so leicht parallel geschaltet werden. Das Schaltverhalten ist unabhängig von der Temperatur und die maximale Betriebstemperatur der Bauteile beträgt 175°C. Außerdem haben die neuen Dioden einen Null-Reverse-Recovery-Strom bzw. eine Null-Reverse-Recovery-Spannung. Ihre Anschlussfläche beträgt 0,385 x 0,260" (Anm. d. Übers.: ca. 9,87mm x 6,6mm) und ihr Querschnitt 0,090" (Anm. d. Übers.: ca. 2,29mm).

Diese neuen SiC-Dioden finden hauptsächlich in Photovoltaik-Mikrowechselrichtern Anwendung, sind aber auch sehr gut geeignet für den Einsatz in SMPS, Leistungsfaktor-Korrekturschaltungen (PFC), Induktionsheizgeräten, USV und Motorantrieben.